La velocità di commutazione è elevata per mosfet o bjt?
Motivi per la maggiore velocità di commutazione del MOSFET:
* Capacità di ingresso inferiore: I MOSFET hanno uno strato di ossido di gate che funge da isolante, con conseguente capacità di ingresso inferiore rispetto ai BJT. Questa capacità inferiore consente una carica e una scarica più rapida del gate, con conseguente commutazione più rapida.
* Frequenza di commutazione maggiore: I MOSFET possono funzionare a frequenze più elevate rispetto ai BJT grazie alla loro capacità inferiore e alle velocità di commutazione più elevate.
* Resistenza in conduzione inferiore: I MOSFET hanno una resistenza in conduzione inferiore, il che significa minore dissipazione di potenza e commutazione più rapida.
* Nessuna memorizzazione di portatori di minoranza: I MOSFET non hanno effetti di memorizzazione dei portatori minoritari, che possono rallentare la commutazione nei BJT.
* Tensione di saturazione inferiore: I MOSFET hanno tensioni di saturazione inferiori rispetto ai BJT, consentendo transizioni di commutazione più rapide.
Tuttavia, ci sono alcune situazioni in cui i BJT potrebbero avere velocità di commutazione più elevate:
* Applicazioni a basso consumo: Nelle applicazioni a bassa potenza, i BJT possono avere velocità di commutazione più elevate a causa della loro minore capacità e minore dissipazione di potenza.
* Applicazioni ad alta corrente: Nelle applicazioni ad alta corrente, i BJT possono avere velocità di commutazione più elevate grazie alle loro capacità di gestione della corrente più elevate.
In generale, i MOSFET sono preferiti per le applicazioni di commutazione ad alta velocità, mentre i BJT sono più adatti per applicazioni a bassa potenza e ad alta corrente in cui la velocità di commutazione non è un fattore critico.
Conclusione:
Sebbene sia i MOSFET che i BJT siano utilizzati nelle applicazioni di commutazione, i MOSFET generalmente offrono velocità di commutazione più elevate grazie alla loro capacità di ingresso inferiore, alla frequenza di commutazione più elevata, alla resistenza nello stato attivo inferiore e alla mancanza di memoria di portanti minoritari. Tuttavia, in scenari specifici, i BJT potrebbero avere velocità di commutazione più elevate, in particolare nelle applicazioni a bassa potenza e ad alta corrente.