Equivalenti e riferimenti incrociati per MOSFET 2SK2500
Sostituti diretti per il 2SK2500 (N-Channel, 600V, 15A)
Il 2SK2500 (Toshiba, fuori produzione) è un MOSFET N-channel da 600 V, 15 A, 0,38 Ω in TO-220/TO-3P. Questi sono equivalenti funzionali compatibili per piedinatura—verifica il datasheet per il tuo circuito specifico (carica di gate, Ciss, Coss, velocità di commutazione).
Top cross
| Numero di parte | Produttore | VDSS | ID | RDS(on) | Package | Note |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP150N | Infineon/IR | 600 V | 15 A | 0,42 Ω | TO-247 | Carica di gate più alta; verifica driver |
| IXTP08N100D1 | IXYS | 1000 V | 8 A | 1,2 Ω | TO-220 | Tensione più alta, corrente più bassa |
| FQP30N06L | Fairchild/onsemi | 60 V | 32 A | 0,035 Ω | TO-220 | Logica! Solo per app ≤60 V |
| IRL3803PBF | Infineon | 30 V | 140 A | 0,009 Ω | TO-220 | Logica! Solo bassa tensione |
| STD15N60F | STMicro | 600 V | 15 A | 0,38 Ω | TO-220 | Corrispondenza spec più vicina |
| STP15N60M2 | STMicro | 600 V | 15 A | 0,28 Ω | TO-220 | MDmesh M2 – perdite inferiori |
| IPP60R190P7 | Infineon | 600 V | 18 A | 0,19 Ω | TO-220 | CoolMOS P7 – FOM molto migliore |
Checklist di selezione
- Nominale tensione ≥ picco di circuito (con margine 20%).
- Nominale corrente ≥ 2× stato stabile (termico).
- RDS(on) alla tua VGS (guida 4,5 V vs 10 V).
- Carica di gate (Qg) – deve corrispondere alla capacità del driver.
- Package/piedinatura – TO-220, TO-247, D2PAK, ecc.
- Resistenza termica RθJC – dimensionamento dissipatore.
Miglior sostituto moderno: STD15N60F o IPP60R190P7 (se il driver gestisce Qg più bassa). Per nuovi progetti, usa le ultime generazioni CoolMOS/MDmesh – 40% di perdite di commutazione inferiori.