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STR nei Semiconduttori: Metrica di Affidabilità Stress-Temperatura-Resistenza

Nell'ingegneria dell'affidabilità dei semiconduttori, STR sta per Stress-Temperature-Resistance (talvolta Stress Test Result). Quantifica la capacità di un dispositivo di resistere a stress termo-meccanico combinato.

I Tre Pilastri

Flussi di Test STR Comuni (JEDEC / AEC-Q101 / AEC-Q100)

Analisi dei Dati STR

Progettazione per STR (Robustezza)

Sommario

STR è la triade della fisica dell'affidabilità: Stress Meccanico + Carico Termico → Degrado del Parametro Elettrico. Superare la qualifica STR (Zero guasti alla dimensione del campione/lotto richiesta) = "Idoneo per il Profilo di Missione."

FattoreSignificato FisicoMeccanismi di Guasto Accelerati
Stress (Meccanico)Disallineamento CTE (Die/Substrato/Stampo), Deformazione, Trazione fili di collegamento, Stress TSV, Flessione del package.Delaminazione, Crepa del die, Sollevamento fili di collegamento, Crepa TSV, Fatica della saldatura.
Temperatura (Termica)Temperatura di giunzione (Tj), ΔT ciclico, Gradiente termico, Rth (Theta-JA/JC).Elettromigrazione, TDDB (rottura ossido), Diffusione di drogaggio, Saldatura a caldo (Creep-Fatigue).
Resistenza (Elettrica)RDS(on) dinamico, VF, Perdite (IR), Tensione di Soglia (Vth) shift.Deriva parametrica → Guasto funzionale. Misurato in-situ o post-stress.