Tecniche di progetto per circuiti analogici a bassa tensione

Approccio Self-Cascode

Due MOSFET in cascata (uno sopra l'altro) aumentano il guadagno. Necessario perché la riduzione dei dispositivi abbassa l'impedenza d'uscita e il guadagno. Svantaggio: riduce l'escursione del segnale d'uscita. Contromisura: polarizzare i transistor per evitare oscillazioni della tensione d'uscita.

Uso di MOSFET a gate flottante (FG MOSFET)

Comuni come elementi di memoria, i FG MOSFET permettono di regolare la tensione di soglia. Usati per creare strutture che funzionano a tensioni di alimentazione ultra-basse. Impostando correttamente i terminali, si ottiene un'impedenza d'uscita inferiore a quella di lavoro del MOSFET, adatta a circuiti a bassa tensione.

Approccio Level Shifter

I MOSFET operano in regione di saturazione o sotto-soglia a seconda della corrente di polarizzazione: bassa corrente → sotto-soglia; alta corrente → saturazione.

Uso di celle analogiche a bassa tensione

I circuiti analogici si decompongono in sottocircuiti (celle analogiche) con proprietà che definiscono le caratteristiche finali. Progettando celle per bassa tensione si ottengono strutture modulari ad alte prestazioni.