Profilo di Drugaggio del Transistor: La Base è Moderatamente Drugata
In un transistor a giunzione bipolare (BJT), la regione di base è moderatamente drugata — per progettazione.
Gradienti di Drugaggio (Typico NPN)
| Regione | Livello di Drugaggio | Concentrazione Tipica (cm⁻³) | Scopo |
|---|---|---|---|
| Emettitore (n⁺) | Elevato | 10¹⁹–10²⁰ | Iniettare grande densità di portatori nella base |
| Base (p) | Moderato | 10¹⁶–10¹⁷ | Sottile, leggermente drugata → β alto, bassa ricombinazione |
| Collettore (n⁻) | Leggero | 10¹⁴–10¹⁵ | Ampia regione di deplezione → alta tensione di rottura VCB |
Perché Drugaggio Moderato della Base?
- Alta efficienza di iniezione dell'emettitore (γ): drugaggio emettitore ≫ base garantisce che la maggior parte della corrente sia elettroni iniettati dall'emettitore, non buchi dalla base.
- Fattore di trasporto di base (αT): base sottile e moderatamente drugata minimizza la ricombinazione → β = γαT/(1–γαT) si avvicina a 100–300.
- Tensione Early / resistenza di uscita: drugaggio leggero del collettore spinge VA più in alto.
- Tensioni di rottura: giunzione collettore-base (leggermente drugata) supporta alta VCBO; emettitore-base (fortemente drugata) ha bassa VEBO (~6–7 V).
Speculare PNP
Stesso profilo, polarità invertite: emettitore p⁺, base n (moderata), collettore p⁻.
Il profilo di drugaggio preciso (inclusi progetti con gradiente/base-pushout) è ottimizzato dalla fonderia per β, fT, VA e rumore target.