Caduta di Tensione del Fotodiodo: Cosa Aspettarsi
Non esiste una singola "caduta di tensione tipica" attraverso un fotodiodo perché il suo modo di funzionamento e il contesto di circuito definiscono la tensione. I due modi fondamentali si comportano diversamente:
1. Modo Fotovoltaico (Zero Bias / Cortocircuito)
- Il fotodiodo opera come sorgente di corrente. La tensione ai morsetti è vicina allo zero (caricata da massa virtuale di amplificatore transimpedenza o misura corrente di cortocircuito).
- Caduta di tensione ≈ 0 V (per progettazione).
- Uscita: Corrente di cortocircuito ISC ∝ irradianza. Lineare su 7–9 decadi.
2. Modo Fotoconduttivo (Polarizzazione Inversa)
- Tensione inversa (VR) applicata (tipicamente 5–50 V per Si, fino a 200 V per APD).
- Caduta di tensione = VR applicata (meno piccola caduta IR nella resistenza di serie).
- Vantaggi: Minore capacità di giunzione → banda passante più alta; regione di deplezione più ampia → migliore efficienza quantistica a lunghezze d'onda lunghe.
- Corrente buia aumenta con VR e temperatura.
3. Polarizzazione Diretta (Rara per Sensore)
- Se polarizzato in diretto (> ~0,6–0,7 V per Si), agisce come diodo regolare + offset di corrente foto.
- Caduta di tensione ≈ 0,6–0,8 V (dipendente da temperatura).
- Usato in alcune topologie di rilevamento temperatura o raccolta energia, non nella rilevazione standard.
Cosa Conta Effettivamente per la Progettazione
Non progettare intorno a "caduta di tensione." Progetta intorno a:
- Responsività (A/W): Corrente per potenza ottica alla lunghezza d'onda di interesse.
- Corrente Buia (ID): Perdita a VR di esercizio e temperatura. Imposta il pavimento di rumore (rumore di scatto).
- Capacità (CJ): Determina la banda passante con amplificatore transimpedenza (TIA): f3dB ≈ 1/(2π RF CJ).
- Tensione di Rottura (VBR): Tensione inversa massima sicura.
- Potenza Ottica Equivalente al Rumore (NEP): Potenza ottica minima rilevabile.
Valori Tipici (Silicio PIN, 25°C)
| Parametro | Intervallo Tipico |
|---|---|
| VBR | 30–200 V |
| CJ @ 0 V | 10–50 pF (area piccola), 100–500 pF (area grande) |
| CJ @ 10 V | 2–10 pF (piccola), 20–100 pF (grande) |
| ID @ 10 V | 1–10 nA (piccola), 10–100 nA (grande) |
| Responsività @ 900 nm | 0,5–0,65 A/W |
Conclusione: In un circuito TIA corretto, la tensione del fotodiodo è fissata vicino a 0 V (fotovoltaico) o al tuo bias inverso scelto. La "caduta" è qualunque cosa tu applichi o l'amplificatore imponga—non una proprietà intrinseca del diodo come una Vf in diretto.