Specifiche del transistor 2N3055
I transistor di potenza come il 2N3055 agiscono come amplificatori che collettano ed emettono correnti attraverso una base metallica. Questi componenti servono come interruttori di deviazione di corrente in numerosi dispositivi elettronici, dai televisori ai regolatori di tensione. Il 2N3055 è un comune transistor di potenza al silicio complementare prodotto da numerose aziende elettroniche. Sebbene molti produttori offrano il transistor 2N3055, le sue specifiche rimangono le stesse tra i marchi.
Basi
Il transistor di potenza 2N3055 è un transistor NPN piano epitassiale a base di silicio che presenta un involucro metallico Jedec TO-3. I produttori del transistor tipo 2N3055 includono ST Microelectronics, Siemens, Motorola, Microsemi e Central Semiconductor Corporation. Questi produttori raccomandano il transistor per uso con amplificatori ad alta fedeltà, stadi di uscita, circuiti di commutazione di potenza e regolatori serie e shunt.
Valori nominali
Nel mondo dei transistor, i produttori definiscono i dispositivi dalle loro valutazioni massime assolute di corrente. Il transistor di potenza 2N3055 ha una tensione collettore-base massima di 100 volt, una tensione collettore-emettitore VCER massima di 70 volt e una tensione collettore-emettitore VCEO massima di 60 volt. Il dispositivo ha una tensione emettitore-base VEBO di 7 volt. Ha una corrente di collettore massima assoluta di 15 ampere e una corrente di base di 7 ampere. Il 2N3055 ha una dissipazione totale di 115 watt.
Specifiche Termiche
Il transistor di potenza 2N3055 ha una temperatura di giunzione operativa massima di 200 gradi Celsius, o 392 gradi Fahrenheit. Può essere immagazzinato a temperature che vanno da -65 a 200 gradi Celsius. La resistenza termica giunzione-cassa del dispositivo è al massimo di 1,5 gradi Celsius per watt, una misura della capacità del transistor per il trasferimento di calore.
Specifiche Elettriche
In condizioni di test a 100 volt, il transistor di potenza 2N3055 ha un taglio collettore ICEX di 1 microampere e una valutazione di corrente di 5 mA. A 30 volt, il suo taglio collettore ICEO scende a un massimo di 0,7 mA. Il transistor presenta una tensione di sostegno collettore-emettitore VCEO minima di 60 volt, un guadagno di corrente DC massimo di 70 volt, una frequenza di transizione di 3 megahertz e una corrente di collettore di seconda rottura di 2,87 ampere.