Specifiche Transistor 3SK51

Il transistor 3SK51 è un MOSFET a doppio gate, canale N, ossido metallico semiconduttore a effetto di campo, usato per varie applicazioni di switching elettronico. MOSFET come il 3SK51 si trovano in dispositivi elettronici personali, computer, ricevitori audio e televisori. Molte aziende hanno interrotto il 3SK51, ma MOSFET simili sono disponibili sotto diverse classificazioni dai maggiori produttori di semiconduttori.

Specifiche Fisiche

Il 3SK51 è alloggiato in package TO-72. Altezza totale da cima a base: 4,3-5,3 mm. Diametro nel punto più largo alla base: 5,3-5,8 mm. Larghezza alloggiamento senza base: 4,4-5,0 mm. Altezza base: 12,7-19 mm. Quattro pin in pattern circolare; lunghezza 0,4-0,5 mm. Diametro cerchio formato dai pin: 2,5 mm. Variazione dimensionale per la piccolezza del package e specifiche accettate.

Specifiche Gestione Potenza

Tensione massima drain-source: 20 volt. Tensione massima gate-source: 7 volt. Massima dissipazione potenza: 330 milliwatt. Massima corrente drain: 35 milliampere.

Altre Specifiche

Temperatura massima giunzione: 175°C (347°F). Capacità drain-source: 20 picofarad.

MOSFET Equivalenti o Sostitutivi

Il 3SK51 può essere sostituito con 3N159, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, 3N211, 3N212, 40600, 40601, 40602, 40603, 40604, HEPF2004, IRLBA3803/P e IRLBA3803P, secondo l'applicazione.