Come funzionano i FET a microonde
Il primo transistor fu creato nel 1925, e da allora ne sono stati inventati diversi tipi. Circuiti, sia digitali che analogici, contengono transistor a effetto di campo, o FET. Il transistor a effetto di campo a semiconduttore metallo-ossido, o MOSFET, è il tipo più comune di FET. C'è un elettrodo di gate isolato nel MOSFET. I FET sono anche usati nell'ingegneria a microonde. Il FET a microonde più comune è il transistor a effetto di campo a semiconduttore metallo, o MESFET. I FET sono dispositivi a tre terminali in grado di eseguire sia amplificazione a microonde che commutazione.
Istruzioni
Familiarizza con i tre terminali del FET: il gate, la source e il drain. Il gate è usato come terminale di ingresso, la source è sempre a terra e il drain è usato come terminale di uscita. La tensione del terminale di uscita è determinata e controllata dalla tensione del terminale di ingresso - questa configurazione è riferita come "common source".
Familiarizza con la connessione source, che si riferisce agli elettroni nel canale. Il terminale drain è dove gli elettroni sono drenati. La direzione del flusso di corrente è positiva quando va dal drain alla source.
Connetti il drain con la source tramite il canale FET usando contatti metallici ohmici. Questo può avvenire quando c'è una mesa di un semiconduttore di tipo N, destinato a essere usato con un FET a canale N, sulla cima di un GaAs, o substrato semi-isolante. Mentre è possibile usare FET a canale P invece di FET a canale N, è fatto raramente a causa delle loro scarse prestazioni.
Connetti il gate al canale tramite il drain e la source usando un contatto metallico Schottky. Connettendo il gate, condurrà zero quantità di corrente DC al canale quando è polarizzato inversamente e il campo elettrico del gate può spostare gli elettroni del canale. Se gli elettroni sotto il gate sono depletati, è possibile che non ci sarà più flusso di corrente dal drain alla source.