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Dispositivi e Pratiche per Prevenire Guasti da Elettrostatica (Controllo ESD)

La Scarica Elettrostatica (ESD) danneggia elettronica sensibile in silenzio. Un programma completo di controllo ESD (secondo ANSI/ESD S20.20, IEC 61340-5-1) combina attrezzature, materiali, procedure e formazione.

Controlli Ingegneristici (Hardware)

DispositivoFunzioneSpecifica Tipica
Jonizzatori (AC/DC, Stato Stazionario, Pulsati)Neutralizzano la carica su isolatori/conduttori isolati dove la messa a terra è impossibileTempo di scarica < 5 s @ 1 ft; tensione offset < ±10 V
Soffiatori/Pistole Jonizzanti da BancoNeutralizzazione localizzata per assemblaggio/riparazioneCome sopra; output ionico bilanciato
Tappeti Antistatici da LavoroPercorso dissipativo a terra (10⁶–10⁹ Ω/sq). Messa a terra tramite resistore 1 MΩ.RTT (Resistenza a Terra) 10⁶–10⁹ Ω. Pulire con detergente sicuro ESD.
Pavimentazione Antistatica / Tappeti PavimentoPercorso conduttivo/dissipativo per personale + carrelliResistenza sistema (persona+pavimento+scarpa) < 3,5×10⁷ Ω (ANSI/ESD S20.20)
Polsiere (Messe a Terra)Legano l'operatore a terra. Resistore in serie 1 MΩ per sicurezza.Monitor continuità (allarme se aperto). Test giornaliero.
Terra/Punta di Terra + Scarpe ConduttivePer operatori in piedi/mobili. Devono funzionare con pavimento ESD.Test resistenza sistema secondo S20.20.
Messa a Terra / Equipotenziale BondingPunto di terra comune (CPG) collega tappeto, polsiera, utensili, attrezzatura, terra edificio.Impedanza < 1 Ω a terra edificio.
Imballaggio Schermato/ConduttivoEffetto gabbia di Faraday: sacchetti metallo-in/metallo-out, contenitori conduttivi, schiuma, nastro.Resistenza superficiale < 10¹¹ Ω (dissipativo) o < 10⁴ Ω (conduttivo).
UmidificazioneAlza UR al 40–60% riduce carica triboelettrica.Monitora UR; evita condensa.

Controlli Amministrativi (Procedure)

Classi di Sensibilità dei Dispositivi (HBM - Modello Corpo Umano)

ClasseGamma TensioneEsempi
0< 250 VTestine MR, CMOS avanzato, GaAsFET
1A250–499 VCMOS ad alta velocità, MOSFET
1B500–999 VCMOS standard, microcontrollori
1C1000–1999 VAnalogico bipolare, CMOS più vecchio
22000–3999 VTTL, CMOS 5V, potenza discreto
3A4000–7999 VDiscreti robusti
3B≥ 8000 VMolto robusti (raramente danneggiati)

Progetta Dentro: Protezione su chip (diodi, clamp), resistenza in serie, condensatori filtro. Progetta Fuori: Materiali generatori di carica, conduttori isolati. Controlla: Il programma sopra.

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