Brevi effetti di canale

effetti di canale corto verificano quando la lunghezza di canale di ossido metallico semiconduttore transistor ad effetto di campo ( MOSFET) dispositivi si accorciano nel tentativo di ottimizzare la velocità di funzionamento . Questo provoca una limitazione nelle caratteristiche di deriva degli elettroni all'interno del canale e una modifica della tensione di soglia . Effetti di canale corto sono raggruppati in cinque categorie, tra drain - indotta barriera abbassamento , la dispersione delle superfici , saturazione di velocità , ionizzazione da impatto e di elettroni caldi . Barriera drain- Induced Abbassamento

La larghezza della fuga e della giunzione fonte è espressa in termini di fonte - a - corpo e scolo a corpo tensioni . Una barriera si verifica quando la tensione di polarizzazione di gate è sufficiente invertire la superficie della superficie canale e flusso di elettroni viene bloccato . Tuttavia , questo potenziale barriera si abbassa con l'aumentare della tensione di gate , portando a drenare indotta barriera abbassamento ( DIBL ) . Forte DIBL rappresenta povero comportamento canale corto .
Surface Scattering

un MOSFET , trasporto degli elettroni avviene all'interno dello strato di inversione stretta. La dispersione delle superfici è descritto come le collisioni vissute da elettroni accelerati come si muovono verso questo strato di inversione . Limiti la dispersione delle superfici mobilità degli elettroni e dipende l'accelerazione causata dalla componente longitudinale del campo elettrico , che aumenta come il canale accorcia .
Velocità di saturazione

saturazione Velocity pregiudicarne il funzionamento del MOSFET e altri dispositivi a canale corto abbassando transconduttanza in modalità saturazione . Si abbassa anche corrente di drain quando le quote di scarico vengono scalati senza sivo tensione di polarizzazione . Aumenta saturazione di velocità con un incremento della componente longitudinale del campo elettrico .
Impact ionizzazione e Hot elettroni

saturazione di velocità possono creare coppie elettrone-lacuna da ionizzanti atomi di silicio all'interno del canale . Questo è indicato come ionizzazione da impatto . Questo si verifica quando gli elettroni acquistano energia mentre viaggiano verso lo scarico . Elettroni caldi sono elettroni ad alta energia che diventano intrappolati e alla fine si accumulano all'interno del canale . Questo porta a prestazioni del dispositivo poveri come il controllo della corrente di drain è perduto.